
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.726348 | ¥8.73 |
| 50 | ¥7.015277 | ¥350.76 |
| 100 | ¥5.55892 | ¥555.89 |
| 500 | ¥4.711757 | ¥2355.88 |
| 1000 | ¥3.838238 | ¥3838.24 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 15.3 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.5 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 9.5 ns
典型关闭延迟时间 11.3 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF200B211 SP001561622
单位重量 2 g
购物车
0IRF200B211
型号:IRF200B211
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.726348 |
| 50+: | ¥7.015277 |
| 100+: | ¥5.55892 |
| 500+: | ¥4.711757 |
| 1000+: | ¥3.838238 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.73