ZVN2120GTA
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- 制造商编号：
- ZVN2120GTA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥2.293972 | ￥2293.97 |
| 2000 | ￥2.141056 | ￥4282.11 |
| 5000 | ￥2.033969 | ￥10169.84 |
| 10000 | ￥1.957511 | ￥19575.11 |
| 25000 | ￥1.937093 | ￥48427.32 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
ZVN2120GTA 同类别型号
注
ZVN2120GTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF
。
ZVN2120GTA
型号：ZVN2120GTA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥2.293972 |
| 2000+： | ￥2.141056 |
| 5000+： | ￥2.033969 |
| 10000+： | ￥1.957511 |
| 25000+： | ￥1.937093 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00