
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥33.931723 | ¥33.93 |
| 10 | ¥30.443542 | ¥304.44 |
| 100 | ¥24.46613 | ¥2446.61 |
| 500 | ¥20.101425 | ¥10050.71 |
| 1000 | ¥16.65559 | ¥16655.59 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 28.5 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 197 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 134.700 mg
购物车
0CSD17556Q5B
型号:CSD17556Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥33.931723 |
| 10+: | ¥30.443542 |
| 100+: | ¥24.46613 |
| 500+: | ¥20.101425 |
| 1000+: | ¥16.65559 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥33.93