货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥965.622998 | ¥965.62 |
10 | ¥917.298601 | ¥9172.99 |
100 | ¥826.779632 | ¥82677.96 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 4.5 kV
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 40 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 190 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 170 ns
上升时间 60 ns
典型关闭延迟时间 126 ns
典型接通延迟时间 44 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 High Voltage
单位重量 6.500 g
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0IXTF1R4N450
型号:IXTF1R4N450
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥965.622998 |
10+: | ¥917.298601 |
100+: | ¥826.779632 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥965.62