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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Renesas Electronics
商标 Renesas Electronics
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 -
栅极电荷 8 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
高度 mm
长度 mm
宽度 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0RJK0305DPB-02#J0
型号:RJK0305DPB-02#J0
品牌:INTERSIL/RECTIFIER
供货:锐单
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