货期:(7~10天)
起订量:120
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
120 | ¥1.388684 | ¥166.64 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 21.5 nC
耗散功率 14.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 54 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIRA18DP-T1-GE3
型号:SIRA18DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
120+: | ¥1.388684 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00