
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥49.268862 | ¥49.27 |
| 10 | ¥44.274112 | ¥442.74 |
| 100 | ¥36.277084 | ¥3627.71 |
| 500 | ¥30.882483 | ¥15441.24 |
| 1000 | ¥26.045449 | ¥26045.45 |
| 2000 | ¥24.743149 | ¥49486.30 |
| 5000 | ¥24.265932 | ¥121329.66 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 390 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 16.15 mm
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPA11N80C3 SP000216320
单位重量 2 g
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0SPA11N80C3XKSA1
型号:SPA11N80C3XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥49.268862 |
| 10+: | ¥44.274112 |
| 100+: | ¥36.277084 |
| 500+: | ¥30.882483 |
| 1000+: | ¥26.045449 |
| 2000+: | ¥24.743149 |
| 5000+: | ¥24.265932 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥49.27