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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥2.209534 | ¥5523.84 |
5000 | ¥2.104301 | ¥10521.50 |
12500 | ¥2.007172 | ¥25089.65 |
25000 | ¥2.003324 | ¥50083.10 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 12.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 40.2 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.9 ns
上升时间 10.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28.3 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 97 mg
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0DMTH10H009LPS-13
型号:DMTH10H009LPS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.209534 |
5000+: | ¥2.104301 |
12500+: | ¥2.007172 |
25000+: | ¥2.003324 |
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