
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.041773 | ¥10.04 |
| 10 | ¥8.644655 | ¥86.45 |
| 100 | ¥5.985769 | ¥598.58 |
| 500 | ¥5.001676 | ¥2500.84 |
| 1000 | ¥4.256837 | ¥4256.84 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 520 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 3.5 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0RSR010N10HZGTL
型号:RSR010N10HZGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.041773 |
| 10+: | ¥8.644655 |
| 100+: | ¥5.985769 |
| 500+: | ¥5.001676 |
| 1000+: | ¥4.256837 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.04