STP13N65M2
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- 制造商编号：
- STP13N65M2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 10A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.305062 | ￥41.31 |
| 50 | ￥20.374104 | ￥1018.71 |
| 100 | ￥18.336387 | ￥1833.64 |
| 500 | ￥14.761512 | ￥7380.76 |
| 1000 | ￥13.612466 | ￥13612.47 |
| 2000 | ￥12.64654 | ￥25293.08 |
| 5000 | ￥12.148584 | ￥60742.92 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP13N65M2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
包装
Tube
系列
MDmesh™ M2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
430mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
17nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
590pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
STP13N65M2 同类别型号
注
STP13N65M2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、STP13N65M2
数据手册PDF。
STP13N65M2
型号：STP13N65M2
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥41.305062 |
| 50+： | ￥20.374104 |
| 100+： | ￥18.336387 |
| 500+： | ￥14.761512 |
| 1000+： | ￥13.612466 |
| 2000+： | ￥12.64654 |
| 5000+： | ￥12.148584 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥41.31