
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.641336 | ¥22.64 |
| 50 | ¥17.958589 | ¥897.93 |
| 100 | ¥15.392571 | ¥1539.26 |
| 500 | ¥13.682561 | ¥6841.28 |
| 1000 | ¥11.715653 | ¥11715.65 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 390 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0R6012JNXC7G
型号:R6012JNXC7G
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.641336 |
| 50+: | ¥17.958589 |
| 100+: | ¥15.392571 |
| 500+: | ¥13.682561 |
| 1000+: | ¥11.715653 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥22.64