
货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥5.906323 | ¥1476.58 |
| 500 | ¥5.129207 | ¥2564.60 |
| 1250 | ¥4.352031 | ¥5440.04 |
| 2500 | ¥4.134403 | ¥10336.01 |
| 6250 | ¥3.97898 | ¥24868.63 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 116 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5.2 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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0CSD18533Q5AT
型号:CSD18533Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥5.906323 |
| 500+: | ¥5.129207 |
| 1250+: | ¥4.352031 |
| 2500+: | ¥4.134403 |
| 6250+: | ¥3.97898 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00