
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.293285 | ¥22.29 |
| 10 | ¥20.03595 | ¥200.36 |
| 100 | ¥16.414691 | ¥1641.47 |
| 500 | ¥13.973521 | ¥6986.76 |
| 1000 | ¥11.784914 | ¥11784.91 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 343 A
漏源电阻 1.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 108 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 355 ns
正向跨导(Min) 286 S
上升时间 827 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 97 ns
典型接通延迟时间 65 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLB3034PBF SP001578716
单位重量 2 g
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0IRLB3034PBF
型号:IRLB3034PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.293285 |
| 10+: | ¥20.03595 |
| 100+: | ¥16.414691 |
| 500+: | ¥13.973521 |
| 1000+: | ¥11.784914 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥22.29