
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.084889 | ¥19.08 |
| 10 | ¥17.149058 | ¥171.49 |
| 100 | ¥14.051729 | ¥1405.17 |
| 500 | ¥11.962016 | ¥5981.01 |
| 1000 | ¥10.08847 | ¥10088.47 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 182 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 96 nC
耗散功率 179 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 5.8 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHP22N60EF-GE3
型号:SIHP22N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.084889 |
| 10+: | ¥17.149058 |
| 100+: | ¥14.051729 |
| 500+: | ¥11.962016 |
| 1000+: | ¥10.08847 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.08