STW28N65M2
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- 制造商编号：
- STW28N65M2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 20A TO247
- 渠道：
- digikey
库存 ：367
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥74.655074 | ￥74.66 |
| 30 | ￥34.329096 | ￥1029.87 |
| 120 | ￥32.456294 | ￥3894.76 |
| 510 | ￥30.369319 | ￥15488.35 |
| 1020 | ￥27.743694 | ￥28298.57 |
| 2010 | ￥27.091226 | ￥54453.36 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STW28N65M2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
包装
Tube
系列
MDmesh™ M2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
180mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
35nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1440pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
STW28N65M2 同类别型号
注
STW28N65M2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STW28N65M2
数据手册PDF。
STW28N65M2
型号：STW28N65M2
品牌：ST
供货：锐单
库存：367 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥74.655074 |
| 30+： | ￥34.329096 |
| 120+： | ￥32.456294 |
| 510+： | ￥30.369319 |
| 1020+： | ￥27.743694 |
| 2010+： | ￥27.091226 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥74.66