
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.548168 | ¥1644.50 |
| 6000 | ¥0.535964 | ¥3215.78 |
| 9000 | ¥0.474702 | ¥4272.32 |
| 30000 | ¥0.46857 | ¥14057.10 |
| 75000 | ¥0.398111 | ¥29858.33 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 107 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 3.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
购物车
0SSM3K333R,LF
型号:SSM3K333R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.548168 |
| 6000+: | ¥0.535964 |
| 9000+: | ¥0.474702 |
| 30000+: | ¥0.46857 |
| 75000+: | ¥0.398111 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00