STP220N6F7
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- 制造商编号：
- STP220N6F7
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
- 渠道：
- digikey
库存 ：975
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥36.834578 | ￥36.83 |
| 50 | ￥29.591476 | ￥1479.57 |
| 100 | ￥24.347967 | ￥2434.80 |
| 500 | ￥20.6026 | ￥10301.30 |
| 1000 | ￥17.480949 | ￥17480.95 |
| 2000 | ￥16.606978 | ￥33213.96 |
| 5000 | ￥15.982648 | ￥79913.24 |
| 10000 | ￥15.453499 | ￥154534.99 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP220N6F7
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
包装
Tube
系列
STripFET™ F7
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6400pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
237W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
STP220N6F7 同类别型号
注
STP220N6F7品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STP220N6F7
数据手册PDF。
STP220N6F7
型号：STP220N6F7
品牌：ST
供货：锐单
库存：975 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥36.834578 |
| 50+： | ￥29.591476 |
| 100+： | ￥24.347967 |
| 500+： | ￥20.6026 |
| 1000+： | ￥17.480949 |
| 2000+： | ￥16.606978 |
| 5000+： | ￥15.982648 |
| 10000+： | ￥15.453499 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥36.83