货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥12.15583 | ¥12.16 |
10 | ¥10.83299 | ¥108.33 |
100 | ¥8.448302 | ¥844.83 |
500 | ¥6.979163 | ¥3489.58 |
1000 | ¥5.509809 | ¥5509.81 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 4.3 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 0.65 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 60 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 g
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02SK3564(STA4,Q,M)
型号:2SK3564(STA4,Q,M)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.15583 |
10+: | ¥10.83299 |
100+: | ¥8.448302 |
500+: | ¥6.979163 |
1000+: | ¥5.509809 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.16