
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.939288 | ¥9.94 |
| 10 | ¥8.857659 | ¥88.58 |
| 100 | ¥6.907805 | ¥690.78 |
| 500 | ¥5.706554 | ¥2853.28 |
| 1000 | ¥4.505129 | ¥4505.13 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 4.3 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 0.65 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 60 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 g
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02SK3564(STA4,Q,M)
型号:2SK3564(STA4,Q,M)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.939288 |
| 10+: | ¥8.857659 |
| 100+: | ¥6.907805 |
| 500+: | ¥5.706554 |
| 1000+: | ¥4.505129 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.94