SIHF530-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHF530-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 100V
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥5.798191 | ￥5798.19 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 160 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 88 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导（Min） 5.1 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHF530-GE3 同类别型号
注
SIHF530-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHF530-GE3
数据手册PDF。
SIHF530-GE3
型号：SIHF530-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥5.798191 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00