货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥44.546231 | ¥44.55 |
10 | ¥37.379784 | ¥373.80 |
100 | ¥30.237925 | ¥3023.79 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
上升时间 32 ns
典型关闭延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHW30N60E-GE3
型号:SIHW30N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥44.546231 |
10+: | ¥37.379784 |
100+: | ¥30.237925 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.55