货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥12.818412 | ¥10254.73 |
1600 | ¥10.975766 | ¥17561.23 |
2400 | ¥10.334846 | ¥24803.63 |
5600 | ¥9.915233 | ¥55525.30 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 128 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 95 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 52 S
上升时间 114 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SUM80090E-GE3
型号:SUM80090E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
800+: | ¥12.818412 |
1600+: | ¥10.975766 |
2400+: | ¥10.334846 |
5600+: | ¥9.915233 |
货期:1-2天
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