货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.762078 | ¥19.76 |
10 | ¥17.751199 | ¥177.51 |
100 | ¥14.266834 | ¥1426.68 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 8.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 86.200 mg
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0CSD18503Q5AT
型号:CSD18503Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.762078 |
10+: | ¥17.751199 |
100+: | ¥14.266834 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.76