货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.257911 | ¥3144.78 |
5000 | ¥1.193968 | ¥5969.84 |
12500 | ¥1.108671 | ¥13858.39 |
25000 | ¥1.083083 | ¥27077.08 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3.7 A
漏源电阻 2.1 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 6.7 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R2K1CE SP001396904
单位重量 330 mg
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0IPD60R2K1CEAUMA1
型号:IPD60R2K1CEAUMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.257911 |
5000+: | ¥1.193968 |
12500+: | ¥1.108671 |
25000+: | ¥1.083083 |
货期:1-2天
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