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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 10.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.2 ns
正向跨导(Min) 53 S
上升时间 171 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Smps MOSFET
单位重量 2 g
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0IRF3709PBF
型号:IRF3709PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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