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CSD13302WT

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD13302WT
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA
渠道:
digikey

库存 :750

货期:(7~10天)

起订量:250

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
250 7.278197 1819.55
500 6.228486 3114.24
1250 5.073851 6342.31
2500 4.776348 11940.87
6250 4.548872 28430.45
12500 4.338906 54236.32
25000 4.330645 108266.12

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 1.6 A

漏源电阻 17.1 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 700 mV

栅极电荷 7.8 nC

耗散功率 1.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7 ns

正向跨导(Min) 10 S

上升时间 7 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 17 ns

典型接通延迟时间 6 ns

外形参数

高度 0.62 mm

长度 1 mm

宽度 1 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 200 mg

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CSD13302WT

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型号:CSD13302WT

品牌:TI

供货:锐单

库存:750 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

250+: ¥7.278197
500+: ¥6.228486
1250+: ¥5.073851
2500+: ¥4.776348
6250+: ¥4.548872
12500+: ¥4.338906
25000+: ¥4.330645

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