货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥7.278197 | ¥1819.55 |
500 | ¥6.228486 | ¥3114.24 |
1250 | ¥5.073851 | ¥6342.31 |
2500 | ¥4.776348 | ¥11940.87 |
6250 | ¥4.548872 | ¥28430.45 |
12500 | ¥4.338906 | ¥54236.32 |
25000 | ¥4.330645 | ¥108266.12 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 17.1 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 7.8 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
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0CSD13302WT
型号:CSD13302WT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥7.278197 |
500+: | ¥6.228486 |
1250+: | ¥5.073851 |
2500+: | ¥4.776348 |
6250+: | ¥4.548872 |
12500+: | ¥4.338906 |
25000+: | ¥4.330645 |
货期:7-10天
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