货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.537238 | ¥7.54 |
10 | ¥6.663876 | ¥66.64 |
100 | ¥5.107376 | ¥510.74 |
500 | ¥4.037567 | ¥2018.78 |
1000 | ¥3.230005 | ¥3230.00 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
正向跨导(Min) 64 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 120 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SI7111EDN-T1-GE3
型号:SI7111EDN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.537238 |
10+: | ¥6.663876 |
100+: | ¥5.107376 |
500+: | ¥4.037567 |
1000+: | ¥3.230005 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.54