
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.658713 | ¥22.66 |
| 10 | ¥20.353089 | ¥203.53 |
| 100 | ¥16.358001 | ¥1635.80 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 8.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 86.200 mg
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0CSD18503Q5AT
型号:CSD18503Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.658713 |
| 10+: | ¥20.353089 |
| 100+: | ¥16.358001 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.66