货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥4.468413 | ¥11171.03 |
5000 | ¥4.062193 | ¥20310.97 |
12500 | ¥3.874708 | ¥48433.85 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.4 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 6.7 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.8 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 11.3 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 105.800 mg
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0CSD16408Q5
型号:CSD16408Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.468413 |
5000+: | ¥4.062193 |
12500+: | ¥3.874708 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00