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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 116 A
漏源电阻 5.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 70 ns, 42 ns
正向跨导(Min) 32 S
上升时间 52 ns, 153 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns, 32 ns
典型接通延迟时间 8.5 ns, 19 ns
高度 4.83 mm
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0NTB5405NT4G
型号:NTB5405NT4G
品牌:ON
供货:锐单
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