货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥16.684477 | ¥16.68 |
10 | ¥15.004112 | ¥150.04 |
25 | ¥14.184189 | ¥354.60 |
100 | ¥11.347829 | ¥1134.78 |
250 | ¥10.717393 | ¥2679.35 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 430 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 100 ns
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK13A60D(STA4,Q,M)
型号:TK13A60D(STA4,Q,M)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.684477 |
10+: | ¥15.004112 |
25+: | ¥14.184189 |
100+: | ¥11.347829 |
250+: | ¥10.717393 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.68