货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥21.143436 | ¥21.14 |
10 | ¥18.969025 | ¥189.69 |
100 | ¥15.249703 | ¥1524.97 |
500 | ¥12.528928 | ¥6264.46 |
1000 | ¥10.381187 | ¥10381.19 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 66 ns
上升时间 90 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR2407TRPBF SP001556854
单位重量 330 mg
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0IRFR2407TRPBF
型号:IRFR2407TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.143436 |
10+: | ¥18.969025 |
100+: | ¥15.249703 |
500+: | ¥12.528928 |
1000+: | ¥10.381187 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.14