STF12N50DM2
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STF12N50DM2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL 500 V, 0.299 OHM TYP.,
- 渠道：
- digikey
库存 ：113
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.847056 | ￥24.85 |
| 10 | ￥22.316124 | ￥223.16 |
| 100 | ￥17.934953 | ￥1793.50 |
| 500 | ￥14.735345 | ￥7367.67 |
| 1000 | ￥12.209267 | ￥12209.27 |
| 2000 | ￥11.367356 | ￥22734.71 |
| 5000 | ￥10.946227 | ￥54731.14 |
| 10000 | ￥10.665629 | ￥106656.29 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STF12N50DM2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
N-CHANNEL 500 V, 0.299 OHM TYP.,
包装
Tube
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
350mOhm @ 5.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
628pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
STF12N50DM2 同类别型号
注
STF12N50DM2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STF12N50DM2、查询STF12N50DM2代理商；
STF12N50DM2价格批发咨询客服；这里拥有
STF12N50DM2中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STF12N50DM2
替代型号
、STF12N50DM2
数据手册PDF。
STF12N50DM2
型号：STF12N50DM2
品牌：ST
供货：锐单
库存：113 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.847056 |
| 10+： | ￥22.316124 |
| 100+： | ￥17.934953 |
| 500+： | ￥14.735345 |
| 1000+： | ￥12.209267 |
| 2000+： | ￥11.367356 |
| 5000+： | ￥10.946227 |
| 10000+： | ￥10.665629 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.85