货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥20.655659 | ¥20.66 |
50 | ¥16.620968 | ¥831.05 |
100 | ¥13.675918 | ¥1367.59 |
500 | ¥11.571775 | ¥5785.89 |
1000 | ¥9.818492 | ¥9818.49 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 800 mA
漏源电阻 21 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 14.6 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导(Min) 330 mS
上升时间 57 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP08N100D2
型号:IXTP08N100D2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.655659 |
50+: | ¥16.620968 |
100+: | ¥13.675918 |
500+: | ¥11.571775 |
1000+: | ¥9.818492 |
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单价:¥0.00总价:¥20.66