STH315N10F7-2
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- 制造商编号：
- STH315N10F7-2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- 渠道：
- digikey
库存 ：850
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥78.865091 | ￥78.87 |
| 10 | ￥66.220961 | ￥662.21 |
| 100 | ￥53.571114 | ￥5357.11 |
| 500 | ￥47.619087 | ￥23809.54 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STH315N10F7-2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.3mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
180nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
12800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
315W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STH315N10F7-2 同类别型号
注
STH315N10F7-2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、STH315N10F7-2
数据手册PDF。
STH315N10F7-2
型号：STH315N10F7-2
品牌：ST
供货：锐单
库存：850 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥78.865091 |
| 10+： | ￥66.220961 |
| 100+： | ￥53.571114 |
| 500+： | ￥47.619087 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥78.87