
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.943323 | ¥5829.97 |
| 6000 | ¥1.841024 | ¥11046.14 |
| 9000 | ¥1.704646 | ¥15341.81 |
| 30000 | ¥1.687782 | ¥50633.46 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 520 mA
漏源电阻 2.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 6.3 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1411DH-T1-BE3
单位重量 7.500 mg
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0SI1411DH-T1-GE3
型号:SI1411DH-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.943323 |
| 6000+: | ¥1.841024 |
| 9000+: | ¥1.704646 |
| 30000+: | ¥1.687782 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00