
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥27.34252 | ¥27.34 |
| 10 | ¥24.565766 | ¥245.66 |
| 100 | ¥19.75037 | ¥1975.04 |
| 500 | ¥16.226724 | ¥8113.36 |
| 1000 | ¥13.487089 | ¥13487.09 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.5 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 13.3 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 111 S
上升时间 18.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 11.9 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 117.400 mg
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0CSD16407Q5
型号:CSD16407Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥27.34252 |
| 10+: | ¥24.565766 |
| 100+: | ¥19.75037 |
| 500+: | ¥16.226724 |
| 1000+: | ¥13.487089 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥27.34