货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥23.847119 | ¥23.85 |
10 | ¥21.425338 | ¥214.25 |
100 | ¥17.22553 | ¥1722.55 |
500 | ¥14.152339 | ¥7076.17 |
1000 | ¥11.762932 | ¥11762.93 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.5 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 13.3 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 111 S
上升时间 18.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 11.9 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 117.400 mg
购物车
0CSD16407Q5
型号:CSD16407Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.847119 |
10+: | ¥21.425338 |
100+: | ¥17.22553 |
500+: | ¥14.152339 |
1000+: | ¥11.762932 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.85