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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.275388 | ¥3826.16 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 14.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 1.47 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.5 ns
正向跨导(Min) 6.6 S
上升时间 6.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.9 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.600 mg
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0DMN1017UCP3-7
型号:DMN1017UCP3-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.275388 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00