货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.717713 | ¥15.72 |
50 | ¥12.470165 | ¥623.51 |
100 | ¥10.68863 | ¥1068.86 |
500 | ¥9.500861 | ¥4750.43 |
1000 | ¥8.135115 | ¥8135.12 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 56 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 380 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 64 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB260NPBF SP001551726
单位重量 2 g
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0IRFB260NPBF
型号:IRFB260NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.717713 |
50+: | ¥12.470165 |
100+: | ¥10.68863 |
500+: | ¥9.500861 |
1000+: | ¥8.135115 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.72