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SIRA24DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIRA24DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
渠道:
digikey

库存 :224

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 10.054391 10.05
10 9.037394 90.37
100 7.047318 704.73
500 5.821608 2910.80
1000 4.596013 4596.01

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 25 V

漏极电流 60 A

漏源电阻 1.15 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 55 nC

耗散功率 62.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 17 ns

正向跨导(Min) 75 S

上升时间 42 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 17 ns

典型接通延迟时间 18 ns

外形参数

高度 1.04 mm

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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SIRA24DP-T1-GE3

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型号:SIRA24DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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1+: ¥10.054391
10+: ¥9.037394
100+: ¥7.047318
500+: ¥5.821608
1000+: ¥4.596013

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