IXTA1N200P3HVTRL
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- 制造商编号：
- IXTA1N200P3HVTRL
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥88.686131 | ￥88.69 |
| 10 | ￥80.115028 | ￥801.15 |
| 25 | ￥76.383409 | ￥1909.59 |
| 100 | ￥63.341164 | ￥6334.12 |
| 250 | ￥59.615214 | ￥14903.80 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXTA1N200P3HVTRL
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
包装
-
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
2000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
40Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
646pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-263HV
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IXTA1N200P3HVTRL 同类别型号
注
IXTA1N200P3HVTRL品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTA1N200P3HVTRL
数据手册PDF。
IXTA1N200P3HVTRL
型号：IXTA1N200P3HVTRL
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥88.686131 |
| 10+： | ￥80.115028 |
| 25+： | ￥76.383409 |
| 100+： | ￥63.341164 |
| 250+： | ￥59.615214 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥88.69