货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥14.875973 | ¥44627.92 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 670 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 170 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 90 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0SIDR140DP-T1-GE3
型号:SIDR140DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥14.875973 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00