CSD19505KTT
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- 制造商编号：
- CSD19505KTT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 500 | ￥12.257768 | ￥6128.88 |
| 1000 | ￥10.337897 | ￥10337.90 |
| 2500 | ￥9.821012 | ￥24552.53 |
| 5000 | ￥9.451799 | ￥47258.99 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 3.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 262 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 19.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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注
CSD19505KTT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD19505KTT
数据手册PDF
。
CSD19505KTT
型号：CSD19505KTT
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 500+： | ￥12.257768 |
| 1000+： | ￥10.337897 |
| 2500+： | ￥9.821012 |
| 5000+： | ￥9.451799 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00