
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥47.374662 | ¥47.37 |
| 10 | ¥42.579597 | ¥425.80 |
| 100 | ¥34.891654 | ¥3489.17 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 3.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 262 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 19.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD19505KTT
型号:CSD19505KTT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥47.374662 |
| 10+: | ¥42.579597 |
| 100+: | ¥34.891654 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥47.37