货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥5.128525 | ¥25642.63 |
10000 | ¥4.931321 | ¥49313.21 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6.7 A
漏源电阻 650 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 56.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPL60R650P6S SP001163080
单位重量 76 mg
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0IPL60R650P6SATMA1
型号:IPL60R650P6SATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥5.128525 |
10000+: | ¥4.931321 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00