货期:国内(1~3工作日)
起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10000 | ¥0.221736 | ¥2217.36 |
30000 | ¥0.217839 | ¥6535.17 |
50000 | ¥0.195687 | ¥9784.35 |
100000 | ¥0.173535 | ¥17353.50 |
250000 | ¥0.169567 | ¥42391.75 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 380 mA
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 900 pC
耗散功率 420 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.7 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
购物车
0DMN63D8LW-13
型号:DMN63D8LW-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.221736 |
30000+: | ¥0.217839 |
50000+: | ¥0.195687 |
100000+: | ¥0.173535 |
250000+: | ¥0.169567 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00