
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥24.973749 | ¥24.97 |
| 10 | ¥22.394938 | ¥223.95 |
| 100 | ¥18.005529 | ¥1800.55 |
| 500 | ¥14.793417 | ¥7396.71 |
| 1000 | ¥12.257361 | ¥12257.36 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 111 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
购物车
0NVMYS011N04CTWG
型号:NVMYS011N04CTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥24.973749 |
| 10+: | ¥22.394938 |
| 100+: | ¥18.005529 |
| 500+: | ¥14.793417 |
| 1000+: | ¥12.257361 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.97