货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.339709 | ¥10.34 |
10 | ¥9.249468 | ¥92.49 |
100 | ¥7.211068 | ¥721.11 |
500 | ¥5.956658 | ¥2978.33 |
1000 | ¥4.702669 | ¥4702.67 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 4.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBC20PBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFBC20PBF
型号:IRFBC20PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.339709 |
10+: | ¥9.249468 |
100+: | ¥7.211068 |
500+: | ¥5.956658 |
1000+: | ¥4.702669 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.34