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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 850 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 44 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 64 ns
正向跨导(Min) 6.5 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 93 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 16.07 mm
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FQPF9N50CF
型号:FQPF9N50CF
品牌:ON
供货:锐单
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