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制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 6.9 A
漏源电阻 48 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 12.5 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ3419AEEV-T1_BE3
单位重量 20 mg
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0SQ3419AEEV-T1_GE3
型号:SQ3419AEEV-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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