货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.713113 | ¥7.71 |
10 | ¥6.761024 | ¥67.61 |
100 | ¥5.187068 | ¥518.71 |
500 | ¥4.100003 | ¥2050.00 |
1000 | ¥3.280002 | ¥3280.00 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 7.7 A
漏源电阻 145 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.192 g
购物车
0SIA446DJ-T1-GE3
型号:SIA446DJ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.713113 |
10+: | ¥6.761024 |
100+: | ¥5.187068 |
500+: | ¥4.100003 |
1000+: | ¥3.280002 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.71