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SIA446DJ-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIA446DJ-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.713113 7.71
10 6.761024 67.61
100 5.187068 518.71
500 4.100003 2050.00
1000 3.280002 3280.00

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 150 V

漏极电流 7.7 A

漏源电阻 145 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 8 nC

耗散功率 19 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns

正向跨导(Min) 6 S

上升时间 13 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 10 ns

典型接通延迟时间 5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 1.192 g

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SIA446DJ-T1-GE3

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型号:SIA446DJ-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥7.713113
10+: ¥6.761024
100+: ¥5.187068
500+: ¥4.100003
1000+: ¥3.280002

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